Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPS031N03L G
Infineon Technologies

IPS031N03L G

Номер детали производителя IPS031N03L G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
Упаковка PG-TO251-3-11
В наличии 5909 pcs
Техническая спецификация IP(D,S)031N03L GPart Number Guide
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5909 Infineon Technologies IPS031N03L G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO251-3-11
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 94W (Tc)
Упаковка / TO-251-3 Stub Leads, IPak
Упаковка Tube
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 5300 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 90A (Tc)

Рекомендуемые продукты

IPS031N03L G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPS031N03L G

Связанные детали для IPS031N03L G